| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI4876DY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
||
|
SI4876DY-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：20V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 21A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：1.6W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 可变电容二极管（可BB844E6327 按钮开关A165-JYM-1 存储器M48Z35AV-10PC1 Card EdgeABC43DREH-S93 Card EdgeGMC10DRTS-S13 逻辑 - 栅极和逆SN74ALS240ANE4 DC DC ConVI-2VT-MY-B1 数据采集 - 模数MAX1084BCSA T 圆形 - 外壳KPSE06A10-6PF0 薄膜电容器B32529D225J289 |
|||||